Imatge destacada de Dual Junction Aïllament

Aïllant de doble unió

Un aïllador de doble unió és un dispositiu passiu que s’utilitza habitualment en bandes de freqüència d’ona de microones i mil·límetres per aïllar senyals inverses de l’extrem de l’antena. Està compost per l'estructura de dos aïllants. La seva pèrdua d’inserció i l’aïllament són normalment el doble que un sol aïllant. Si l’aïllament d’un sol aïllador és de 20dB, l’aïllament d’un aïllador de doble junta sovint pot ser de 40dB. El port VSWR no canvia gaire. En el sistema, quan el senyal de freqüència de ràdio es transmet des del port d’entrada fins a la primera unió d’anell, perquè un extrem de la primera unió d’anell està equipat amb una resistència de freqüència de ràdio, el seu senyal només es pot transmetre al final d’entrada de la segona unió d’anell. La segona unió de bucle és la mateixa que la primera, amb resistències de RF instal·lades, el senyal es passarà al port de sortida i el seu aïllament serà la suma de l’aïllament de les dues juntes de bucle. El senyal invers que torna del port de sortida serà absorbit per la resistència RF a la segona unió d'anell. D’aquesta manera, s’aconsegueix un gran grau d’aïllament entre els ports d’entrada i sortida, reduint eficaçment les reflexions i la interferència del sistema.

Interval de freqüències de 10MHz a 40GHz, fins a 500W de potència.

Aplicacions militars, espacials i comercials.

Baixa pèrdua d’inserció, aïllament elevat, manipulació d’alta potència.

Disseny personalitzat disponible a petició.

Envieu -nos un correu electrònic sales@rftyt.com

Detall del producte

Etiquetes de producte

Fitxa

Rftyt 60MHz-18.0GHz RF Dual / Multi-Junction Coaxial Aïllament
Model	Rang de freqüències	Amplada de banda (màxim)	Pèrdua d'inserció (db)	Aïllament (db)	Vswr (màxim)	Poder endavant (W)	Potència inversa (W)	Dimensió W × l × h （mm）	Sma Fitxa	N Fitxa
TG12060E	80-230MHz	5 ~ 30%	1.2	40	1.25	150	10-100	120,060,025,5	SMA PDF	N pdf
TG9662H	300-1250MHz	5 ~ 20%	1.2	40	1.25	300	10-100	96.062.026.0	SMA PDF	N pdf
TG9050X	300-1250MHz	5 ~ 20%	1.0	40	1.25	300	10-100	90,050,018,0	SMA PDF	N pdf
TG7038X	400-1850MHz	5 ~ 20%	0,8	45	1.25	300	10-100	70,038,015.0	SMA PDF	N pdf
TG5028X	700-4200MHz	5 ~ 20%	0.6	45	1.25	200	10-100	50,828,515,0	SMA PDF	N pdf
TG7448H	700-4200MHz	5 ~ 20%	0.6	45	1.25	200	10-100	73,848,422,5	SMA PDF	N pdf
TG14566K	1.0-2.0GHz	Plena	1.4	35	1.40	150	100	145.266,026.0	SMA PDF	/
TG6434A	2.0-4.0GHz	Plena	1.2	36	1.30	100	10-100	64,034,021.0	SMA PDF	/
TG5028C	3.0-6.0GHz	Plena	1.0	40	1.25	100	10-100	50,828,014.0	SMA PDF	N pdf
TG4223B	4.0-8.0GHz	Plena	1.2	34	1.35	30	10	42,022,515.0	SMA PDF	/
TG2619C	8.0-12.0GHz	Plena	1.0	36	1.30	30	10	26.019.012.7	SMA PDF	/
Rftyt 60MHz-18.0GHz RF Dual / Multi-Junction Drop-in Aïllament
Model	Rang de freqüències	Amplada de banda (màxim)	Pèrdua d'inserció (db)	Aïllament (db)	Vswr (màxim)	Poder endavant (W)	Potència inversa (W)	Dimensió W × l × h （mm）	Línia de tira Fitxa
WG12060h	80-230MHz	5 ~ 30%	1.2	40	1.25	150	10-100	120,060,025,5	Pdf	/
WG9662H	300-1250MHz	5 ~ 20%	1.2	40	1.25	300	10-100	96.048.024.0	Pdf	/
WG9050X	300-1250MHz	5 ~ 20%	1.0	40	1.25	300	10-100	96,050.026,5	Pdf	/
WG5025X	350-4300MHz	5 ~ 15%	0,8	45	1.25	250	10-100	50,825.010.0	Pdf	/
WG7038X	400-1850MHz	5 ~ 20%	0,8	45	1.25	300	10-100	70,038,013.0	Pdf	/
WG4020X	700-2700MHz	5 ~ 20%	0,8	45	1.25	100	10-100	40.020.08.6	Pdf	/
WG4027X	700-4000MHz	5 ~ 20%	0,8	45	1.25	100	10-100	40,027,58,6	Pdf	/
WG6434A	2.0-4.0GHz	Plena	1.2	36	1.30	100	10-100	64,034,021.0	Pdf	/
WG5028C	3.0-6.0GHz	Plena	1.0	40	1.25	100	10-100	50,828,014.0	Pdf	/
WG4223B	4.0-8.0GHz	Plena	1.2	34	1.35	30	10	42,022,515.0	Pdf	/
WG2619C	8.0 - 12.0 GHz	Plena	1.0	36	1.30	30	5-30	26.019.013.0	Pdf	/

Visió de conjunt

Una de les característiques clau d’un aïllador de doble juntament és l’aïllament, que reflecteix el grau d’aïllament del senyal entre el port d’entrada i el port de sortida. Normalment, l’aïllament es mesura en (db) i l’aïllament alt significa un millor aïllament del senyal. L’aïllament d’aïlladors de doble juntament pot arribar a arribar a desenes de decibels o més. Per descomptat, quan l’aïllament requereix un temps més gran, també es poden utilitzar aïllants multi-juncions.

Un altre paràmetre important de l’aïllador de doble junció és la pèrdua d’inserció (pèrdua d’inserció), que fa referència a la pèrdua del senyal del port d’entrada al port de sortida. La menor pèrdua d’inserció significa que el senyal pot viatjar de manera més eficient a través de l’aïllador. Els aïllants de doble junció generalment tenen una pèrdua d’inserció molt baixa, normalment per sota d’uns quants decibels.

A més, els aïlladors de doble unió també tenen un ampli rang de freqüència i capacitat de manipulació de potència. Es poden aplicar diferents aïlladors en diferents bandes de freqüència, com ara la banda de freqüència de microones (0,3 GHz - 30 GHz) i la banda de freqüència d'ona mil·límetre (30 GHz - 300 GHz). Al mateix temps, és capaç de suportar nivells de potència força elevats, que van des d’uns quants watts fins a desenes de watts.

El disseny i la fabricació d’un aïllador de doble junció requereix tenir en compte molts factors com ara l’interval de freqüència de funcionament, els requisits d’aïllament, la pèrdua d’inserció, les restriccions de mida, etc. Normalment, els enginyers utilitzen mètodes de simulació i optimització de camp electromagnètics per determinar estructures i paràmetres adequats. El procés de fabricació dels aïlladors de doble junta sol implicar tècniques sofisticades de mecanitzat i muntatge per assegurar la fiabilitat i el rendiment del dispositiu.

En general, l’aïllador de doble junció és un dispositiu passiu important que s’utilitza àmpliament en sistemes d’ones de microones i mil·límetres per aïllar i protegir els senyals de la reflexió i la interferència mútua. Té les característiques d’aïllament elevat, baixa pèrdua d’inserció, ampli rang de freqüència i capacitat de manipulació d’alta potència, que té un impacte important en el rendiment i l’estabilitat del sistema. Amb el desenvolupament continu de la comunicació sense fils i la tecnologia de radar, la demanda i la investigació dels aïlladors de doble junció continuaran expandint-se i aprofundint.

Anterior: Aïllant SMT / SMD

A continuació: Aïllant de microstrip